全自動臺階儀 JS2000B 應(yīng)用場景列舉

• 薄膜厚度測量：測量沉積在硅片上的各種薄膜厚度，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、金屬層（鋁、銅）以及光刻膠的厚度。通過在薄膜與襯底邊界處掃描，直接獲得臺階高度即為膜厚。這是工藝控制和良率管理的關(guān)鍵參數(shù)。

  
  

• 刻蝕深度測量：測量干法或濕法刻蝕后形成的溝槽、孔洞的深度。臺階儀可以精確量化刻蝕工藝的深度均勻性和各向異性程度。

  
  

• 化學(xué)機械拋光監(jiān)控：CMP工藝后，需要測量晶圓表面的全局平整度和局部臺階高度，以確保多層互連結(jié)構(gòu)的平坦化效果。

  
  

• 關(guān)鍵尺寸（CD）與側(cè)壁角輔助分析：雖然臺階儀主要提供高度信息，但對于一些結(jié)構(gòu)，結(jié)合特定算法，可以從輪廓中提取線寬（CD）和側(cè)壁角度的近似信息，作為掃描電子顯微鏡（SEM）測量的補充或快速驗證。

  
  

• 凸點高度與共面性測量：測量焊料凸點、銅柱等互連結(jié)構(gòu)的高度及其整體的共面性，這對于后續(xù)的鍵合工藝至關(guān)重要。

  
  

• 再布線層與介質(zhì)層厚度：測量扇出型封裝、硅通孔等優(yōu)良封裝中，再布線層和介質(zhì)絕緣層的厚度。

  
  

• 封裝體表面平整度：測量封裝完成后，芯片表面的整體翹曲或局部高度差。

  
  

• 光學(xué)鍍膜厚度：測量增透膜、反射膜、濾光膜等多層光學(xué)薄膜的單層或多層總厚度，監(jiān)控鍍膜工藝的均勻性和穩(wěn)定性。

  
  

• 顯示面板膜層測量：測量LCD或OLED面板中各種功能膜層的厚度，如ITO導(dǎo)電層、絕緣層、間隔物等。

  
  

• 涂層與鍍層厚度：測量PVD、CVD、噴涂、電鍍等工藝制備的涂層厚度，評估其均勻性。

  
  

• 表面粗糙度分析：雖然主要提供二維線粗糙度參數(shù)（如Ra， Rq， Rz），但對于許多應(yīng)用，這足以及時評估機加工、拋光、蝕刻等工藝后的表面紋理質(zhì)量。

  
  

• 腐蝕與磨損研究：通過測量腐蝕或磨損實驗前后特定區(qū)域的輪廓，可以量化材料損失深度、磨損體積以及表面形貌的變化，研究材料退化機理。

  
  

• MEMS器件結(jié)構(gòu)尺寸：測量微機電系統(tǒng)器件中可動結(jié)構(gòu)的厚度、間隙、釋放深度等關(guān)鍵尺寸。

  
  

• 磁頭飛行高度與盤片紋理：在硬盤制造中，可用于測量磁頭表面輪廓和磁盤基片的紋理深度，這些參數(shù)與磁頭的飛行高度密切相關(guān)。

  
  

• 來料檢驗：檢驗外購晶圓、基板、關(guān)鍵膜材的厚度或表面質(zhì)量是否符合規(guī)格。

  
  

• 過程控制：在生產(chǎn)線上對關(guān)鍵工序后的樣品進行抽樣測量，監(jiān)控工藝穩(wěn)定性。

  
  

• 成品檢驗與失效分析：對成品進行最終尺寸檢驗，或當(dāng)產(chǎn)品出現(xiàn)功能失效時，通過測量失效部位（如斷線處、短路點）的輪廓，尋找可能的結(jié)構(gòu)缺陷（如臺階過高、膜層過薄、殘留物等）。

  
  

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